BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE /

Сохранить в:

Библиографические подробности
Главный автор:	Jahan, Nusrat .
Соавтор:	Supervised by Yasir Arafat (Assistant profesor, Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, BUET Dhaka.)
Другие авторы:	Priyanka Biswas, Rowshon Ara Mannan
Формат:	‌
Язык:	английский
Опубликовано:	Dhaka : CE DEPT MIST , c 2013.
Предметы:	Thesis Paper of EECE in B.Sc Prog. Electrical, Electronic and Communication Engineering.
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы