BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE /

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי:	Jahan, Nusrat .
מחבר תאגידי:	Supervised by Yasir Arafat (Assistant profesor, Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, BUET Dhaka.)
מחברים אחרים:	Priyanka Biswas, Rowshon Ara Mannan
פורמט:	ספר
שפה:	אנגלית
יצא לאור:	Dhaka : CE DEPT MIST , c 2013.
נושאים:	Thesis Paper of EECE in B.Sc Prog. Electrical, Electronic and Communication Engineering.
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים