BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE /

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Hlavní autor:	Jahan, Nusrat .
Korporativní autor:	Supervised by Yasir Arafat (Assistant profesor, Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, BUET Dhaka.)
Další autoři:	Priyanka Biswas, Rowshon Ara Mannan
Médium:	Kniha
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Dhaka : CE DEPT MIST , c 2013.
Témata:	Thesis Paper of EECE in B.Sc Prog. Electrical, Electronic and Communication Engineering.
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Popis
Fyzický popis:	87 p. : ill. ; 29 cm.

Podobné jednotky