BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE /

Zapisane w:

Opis bibliograficzny
1. autor:	Jahan, Nusrat .
Korporacja:	Supervised by Yasir Arafat (Assistant profesor, Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, BUET Dhaka.)
Kolejni autorzy:	Priyanka Biswas, Rowshon Ara Mannan
Format:	Książka
Język:	angielski
Wydane:	Dhaka : CE DEPT MIST , c 2013.
Hasła przedmiotowe:	Thesis Paper of EECE in B.Sc Prog. Electrical, Electronic and Communication Engineering.
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy