BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE /

সংরক্ষণ করুন:

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:	Jahan, Nusrat .
সংস্থা লেখক:	Supervised by Yasir Arafat (Assistant profesor, Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, BUET Dhaka.)
অন্যান্য লেখক:	Priyanka Biswas, Rowshon Ara Mannan
বিন্যাস:	গ্রন্থ
ভাষা:	ইংরেজি
প্রকাশিত:	Dhaka : CE DEPT MIST , c 2013.
বিষয়গুলি:	Thesis Paper of EECE in B.Sc Prog. Electrical, Electronic and Communication Engineering.
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি