BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE /

Αποθηκεύτηκε σε:

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας:	Jahan, Nusrat .
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή:	Supervised by Yasir Arafat (Assistant profesor, Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, BUET Dhaka.)
Άλλοι συγγραφείς:	Priyanka Biswas, Rowshon Ara Mannan
Μορφή:	Βιβλίο
Γλώσσα:	Αγγλικά
Έκδοση:	Dhaka : CE DEPT MIST , c 2013.
Θέματα:	Thesis Paper of EECE in B.Sc Prog. Electrical, Electronic and Communication Engineering.
Ετικέτες:	Προσθήκη ετικέτας Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!

Παρόμοια τεκμήρια