BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE /

Tallennettuna:

Bibliografiset tiedot
Päätekijä:	Jahan, Nusrat .
Yhteisötekijä:	Supervised by Yasir Arafat (Assistant profesor, Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, BUET Dhaka.)
Muut tekijät:	Priyanka Biswas, Rowshon Ara Mannan
Aineistotyyppi:	Kirja
Kieli:	englanti
Julkaistu:	Dhaka : CE DEPT MIST , c 2013.
Aiheet:	Thesis Paper of EECE in B.Sc Prog. Electrical, Electronic and Communication Engineering.
Tagit:	Lisää tagi Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!

Samankaltaisia teoksia