A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Автор:	Mahbub, Lamiya
Співавтор:	Supervised by Sunjida Sultana (Assistant Professor, Dept of EECE, MIST)
Інші автори:	Badhon, Mehrab Ibne Masud
Формат:	Книга
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2024.
Предмети:	Electrical, Electronic and Communication Engineering. This Thesis Paper of EECE in BSc Program.
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Схожі ресурси