A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /

Gorde:

Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia:	Mahbub, Lamiya
Erakunde egilea:	Supervised by Sunjida Sultana (Assistant Professor, Dept of EECE, MIST)
Beste egile batzuk:	Badhon, Mehrab Ibne Masud
Formatua:	Liburua
Hizkuntza:	ingelesa
Argitaratua:	Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2024.
Gaiak:	Electrical, Electronic and Communication Engineering. This Thesis Paper of EECE in BSc Program.
Etiketak:	Etiketa erantsi Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!

Antzeko izenburuak