A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /

Zapisane w:

Opis bibliograficzny
1. autor:	Mahbub, Lamiya
Korporacja:	Supervised by Sunjida Sultana (Assistant Professor, Dept of EECE, MIST)
Kolejni autorzy:	Badhon, Mehrab Ibne Masud
Format:	Książka
Język:	angielski
Wydane:	Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2024.
Hasła przedmiotowe:	Electrical, Electronic and Communication Engineering. This Thesis Paper of EECE in BSc Program.
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy