A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| מחבר תאגידי: | |
| מחברים אחרים: | |
| פורמט: | ספר |
| שפה: | אנגלית |
| יצא לאור: |
Dhaka :
EECE DEPT. MIST,
c2024.
|
| נושאים: | |
| תגים: |
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|