A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلف مشترك: | |
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | كتاب |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
Dhaka :
EECE DEPT. MIST,
c2024.
|
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|