A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Mahbub, Lamiya
Համատեղ հեղինակ: Supervised by Sunjida Sultana (Assistant Professor, Dept of EECE, MIST)
Այլ հեղինակներ: Badhon, Mehrab Ibne Masud
Ձևաչափ: Գիրք
Լեզու:անգլերեն
Հրապարակվել է: Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2024.
Խորագրեր:
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!