A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /

Salvato in:

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Mahbub, Lamiya
Ente Autore:	Supervised by Sunjida Sultana (Assistant Professor, Dept of EECE, MIST)
Altri autori:	Badhon, Mehrab Ibne Masud
Natura:	Libro
Lingua:	inglese
Pubblicazione:	Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2024.
Soggetti:	Electrical, Electronic and Communication Engineering. This Thesis Paper of EECE in BSc Program.
Tags:	Aggiungi Tag Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

Documenti analoghi