A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Соавтор: | |
| Другие авторы: | |
| Формат: | |
| Язык: | английский |
| Опубликовано: |
Dhaka :
EECE DEPT. MIST,
c2024.
|
| Предметы: | |
| Метки: |
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|