A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /
Spremljeno u:
| Glavni autor: | |
|---|---|
| Autor kompanije: | |
| Daljnji autori: | |
| Format: | Knjiga |
| Jezik: | engleski |
| Izdano: |
Dhaka :
EECE DEPT. MIST,
c2024.
|
| Teme: | |
| Oznake: |
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!
|