PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Zaman, Faria
Համատեղ հեղինակ: Supervised by Lt Col Md Tawfiq Amin (Instructor Class A, Dept. of EECE, MIST, Dhaka)
Ձևաչափ: Գիրք
Լեզու:անգլերեն
Հրապարակվել է: Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2026.
Խորագրեր:
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Նմանատիպ նյութեր: PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /