PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Zaman, Faria
সংস্থা লেখক: Supervised by Lt Col Md Tawfiq Amin (Instructor Class A, Dept. of EECE, MIST, Dhaka)
বিন্যাস: গ্রন্থ
ভাষা:ইংরেজি
প্রকাশিত: Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2026.
বিষয়গুলি:
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি: PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /