PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /

Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteur principal: Zaman, Faria
Collectivité auteur: Supervised by Lt Col Md Tawfiq Amin (Instructor Class A, Dept. of EECE, MIST, Dhaka)
Format: Livre
Langue:anglais
Publié: Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2026.
Sujets:
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

Documents similaires: PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /