PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: | |
| Μορφή: | Βιβλίο |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| Έκδοση: |
Dhaka :
EECE DEPT. MIST,
c2026.
|
| Θέματα: | |
| Ετικέτες: |
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Παρόμοια τεκμήρια: PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /
- Low-power CMOS VLSI circuit design /
- Essentials of vlsi circuits and systems /
- Hydrodynamics of High-Speed Marine Vehicles /
- High-speed networks and internets : performance and quality of service /
- High-speed networks and internets : performance and quality of service /
- An Introduction to VLSI Physical Design /