Mahbub, L., & Badhon, M. I. M. (2024). A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. EECE DEPT. MIST.
Sao chép vào clipboard thành công
Sao chép vào clipboard thất bại
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)
Mahbub, Lamiya, và Mehrab Ibne Masud Badhon. A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. Dhaka: EECE DEPT. MIST, 2024.
Sao chép vào clipboard thành công
Sao chép vào clipboard thất bại
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)
Mahbub, Lamiya, và Mehrab Ibne Masud Badhon. A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. EECE DEPT. MIST, 2024.
Sao chép vào clipboard thành công
Sao chép vào clipboard thất bại
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.