Mahbub, L., & Badhon, M. I. M. (2024). A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. EECE DEPT. MIST.
Skopiowano do schowka
Nie udało się skopiować do schowka
Cytowanie według stylu Chicago (wyd. 17)
Mahbub, Lamiya, i Mehrab Ibne Masud Badhon. A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. Dhaka: EECE DEPT. MIST, 2024.
Skopiowano do schowka
Nie udało się skopiować do schowka
Cytowanie według stylu MLA (wyd. 9)
Mahbub, Lamiya, i Mehrab Ibne Masud Badhon. A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. EECE DEPT. MIST, 2024.
Skopiowano do schowka
Nie udało się skopiować do schowka
Uwaga: Te cytaty mogą odróżniać się od wytycznej twojego fakultetu..