Mahbub, L., & Badhon, M. I. M. (2024). A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. EECE DEPT. MIST.
Հաջողությամբ պատճենվել է միջանկյալ հիշողություն
Պատճենումը միջանկյալ հիշողություն ձախողվեց
Չիկագոյի ոճի (17րդ խմբ.) մեջբերում
Mahbub, Lamiya, and Mehrab Ibne Masud Badhon. A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. Dhaka: EECE DEPT. MIST, 2024.
Հաջողությամբ պատճենվել է միջանկյալ հիշողություն
Պատճենումը միջանկյալ հիշողություն ձախողվեց
MLA (9րդ խմբ.) Մեջբերում
Mahbub, Lamiya, and Mehrab Ibne Masud Badhon. A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. EECE DEPT. MIST, 2024.
Հաջողությամբ պատճենվել է միջանկյալ հիշողություն
Պատճենումը միջանկյալ հիշողություն ձախողվեց
Զգուշացում. այս մեջբերումները միշտ չէ, որ կարող են 100% ճշգրիտ լինել.