Mahbub, L., & Badhon, M. I. M. (2024). A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. EECE DEPT. MIST.
Kopioitu leikepöydälle
Kopiointi leikepöydälle epäonnistui
Chicago-viite (17. p.)
Mahbub, Lamiya, ja Mehrab Ibne Masud Badhon. A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. Dhaka: EECE DEPT. MIST, 2024.
Kopioitu leikepöydälle
Kopiointi leikepöydälle epäonnistui
MLA-viite (9. p.)
Mahbub, Lamiya, ja Mehrab Ibne Masud Badhon. A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. EECE DEPT. MIST, 2024.
Kopioitu leikepöydälle
Kopiointi leikepöydälle epäonnistui
Varoitus: Nämä viitteet eivät aina ole täysin luotettavia.