Mahbub, L., & Badhon, M. I. M. (2024). A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. EECE DEPT. MIST.
ক্লিপবোর্ডে সফলভাবে কপি করা হয়েছে
ক্লিপবোর্ডে কপি করা যায়নি
শিকাগো স্টাইল (17 তম সংস্করণ) উদ্ধৃতি
Mahbub, Lamiya, এবং Mehrab Ibne Masud Badhon. A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. Dhaka: EECE DEPT. MIST, 2024.
ক্লিপবোর্ডে সফলভাবে কপি করা হয়েছে
ক্লিপবোর্ডে কপি করা যায়নি
M.L.A (9 ম সংস্করণ) উদ্ধৃতি
Mahbub, Lamiya, এবং Mehrab Ibne Masud Badhon. A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS. EECE DEPT. MIST, 2024.
ক্লিপবোর্ডে সফলভাবে কপি করা হয়েছে
ক্লিপবোর্ডে কপি করা যায়নি
সতর্কবাণী: সাইটেশন সবসময় 100% নির্ভুল হতে পারে না.