A COMPACT ANALYTICAL MADEL OF DOUBLE GATE TUNNEL-FETs WITH ALGaSb/ InAs HETEROJUNCTION STRUCTURE /
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| מחבר תאגידי: | |
| פורמט: | ספר |
| שפה: | אנגלית |
| יצא לאור: |
Dhaka :
EECE DEPT MIST ,
c 2022
|
| נושאים: | |
| תגים: |
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
פריטים דומים: A COMPACT ANALYTICAL MADEL OF DOUBLE GATE TUNNEL-FETs WITH ALGaSb/ InAs HETEROJUNCTION STRUCTURE /
- The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor
- Statistical Leakage Current Analysis of Trapezoidal Tri-Gate FinFET
- A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /
- Transportation Tunnels /
- Gate tutor 2019 : electrical engineering /
- Acing the GATE 2017 : mechanical engineering /