A COMPACT ANALYTICAL MADEL OF DOUBLE GATE TUNNEL-FETs WITH ALGaSb/ InAs HETEROJUNCTION STRUCTURE /
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: | |
| Μορφή: | Βιβλίο |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| Έκδοση: |
Dhaka :
EECE DEPT MIST ,
c 2022
|
| Θέματα: | |
| Ετικέτες: |
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Παρόμοια τεκμήρια: A COMPACT ANALYTICAL MADEL OF DOUBLE GATE TUNNEL-FETs WITH ALGaSb/ InAs HETEROJUNCTION STRUCTURE /
- The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor
- Statistical Leakage Current Analysis of Trapezoidal Tri-Gate FinFET
- A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /
- Transportation Tunnels /
- Gate tutor 2019 : electrical engineering /
- Acing the GATE 2017 : mechanical engineering /