A COMPACT ANALYTICAL MADEL OF DOUBLE GATE TUNNEL-FETs WITH ALGaSb/ InAs HETEROJUNCTION STRUCTURE /
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلف مشترك: | |
| التنسيق: | كتاب |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
Dhaka :
EECE DEPT MIST ,
c 2022
|
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة: A COMPACT ANALYTICAL MADEL OF DOUBLE GATE TUNNEL-FETs WITH ALGaSb/ InAs HETEROJUNCTION STRUCTURE /
- The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor
- Statistical Leakage Current Analysis of Trapezoidal Tri-Gate FinFET
- A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /
- Transportation Tunnels /
- Gate tutor 2019 : electrical engineering /
- Acing the GATE 2017 : mechanical engineering /