A COMPACT ANALYTICAL MADEL OF DOUBLE GATE TUNNEL-FETs WITH ALGaSb/ InAs HETEROJUNCTION STRUCTURE /
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| সংস্থা লেখক: | |
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| ভাষা: | ইংরেজি |
| প্রকাশিত: |
Dhaka :
EECE DEPT MIST ,
c 2022
|
| বিষয়গুলি: | |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
অনুরূপ উপাদানগুলি: A COMPACT ANALYTICAL MADEL OF DOUBLE GATE TUNNEL-FETs WITH ALGaSb/ InAs HETEROJUNCTION STRUCTURE /
- The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor
- Statistical Leakage Current Analysis of Trapezoidal Tri-Gate FinFET
- A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /
- Transportation Tunnels /
- Gate tutor 2019 : electrical engineering /
- Acing the GATE 2017 : mechanical engineering /