Jahan, N. . .., Priyanka Biswas, & Rowshon Ara Mannan. (2013). BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. CE DEPT MIST.
Sao chép vào clipboard thành công
Sao chép vào clipboard thất bại
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)
Jahan, Nusrat ., Priyanka Biswas, và Rowshon Ara Mannan. BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. Dhaka: CE DEPT MIST, 2013.
Sao chép vào clipboard thành công
Sao chép vào clipboard thất bại
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)
Jahan, Nusrat ., et al. BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. CE DEPT MIST, 2013.
Sao chép vào clipboard thành công
Sao chép vào clipboard thất bại
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.