Стиль цитування APA (7-ме видання)
Jahan, N. . .., Priyanka Biswas, & Rowshon Ara Mannan. (2013). BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. CE DEPT MIST.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)
Jahan, Nusrat ., Priyanka Biswas, та Rowshon Ara Mannan. BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. Dhaka: CE DEPT MIST, 2013.
Стиль цитування MLA (9-ме видання)
Jahan, Nusrat ., et al. BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. CE DEPT MIST, 2013.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.