Jahan, N. . .., Priyanka Biswas, & Rowshon Ara Mannan. (2013). BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. CE DEPT MIST.
ক্লিপবোর্ডে সফলভাবে কপি করা হয়েছে
ক্লিপবোর্ডে কপি করা যায়নি
শিকাগো স্টাইল (17 তম সংস্করণ) উদ্ধৃতি
Jahan, Nusrat ., Priyanka Biswas, এবং Rowshon Ara Mannan. BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. Dhaka: CE DEPT MIST, 2013.
ক্লিপবোর্ডে সফলভাবে কপি করা হয়েছে
ক্লিপবোর্ডে কপি করা যায়নি
M.L.A (9 ম সংস্করণ) উদ্ধৃতি
Jahan, Nusrat ., et al. BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. CE DEPT MIST, 2013.
ক্লিপবোর্ডে সফলভাবে কপি করা হয়েছে
ক্লিপবোর্ডে কপি করা যায়নি
সতর্কবাণী: সাইটেশন সবসময় 100% নির্ভুল হতে পারে না.