Jahan, N. . .., Priyanka Biswas, & Rowshon Ara Mannan. (2013). BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. CE DEPT MIST.
Հաջողությամբ պատճենվել է միջանկյալ հիշողություն
Պատճենումը միջանկյալ հիշողություն ձախողվեց
Չիկագոյի ոճի (17րդ խմբ.) մեջբերում
Jahan, Nusrat ., Priyanka Biswas, and Rowshon Ara Mannan. BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. Dhaka: CE DEPT MIST, 2013.
Հաջողությամբ պատճենվել է միջանկյալ հիշողություն
Պատճենումը միջանկյալ հիշողություն ձախողվեց
MLA (9րդ խմբ.) Մեջբերում
Jahan, Nusrat ., et al. BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE. CE DEPT MIST, 2013.
Հաջողությամբ պատճենվել է միջանկյալ հիշողություն
Պատճենումը միջանկյալ հիշողություն ձախողվեց
Զգուշացում. այս մեջբերումները միշտ չէ, որ կարող են 100% ճշգրիտ լինել.