PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Zaman, Faria
Korporacja: Supervised by Lt Col Md Tawfiq Amin (Instructor Class A, Dept. of EECE, MIST, Dhaka)
Format: Książka
Język:angielski
Wydane: Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2026.
Hasła przedmiotowe:
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!