PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי:	Zaman, Faria
מחבר תאגידי:	Supervised by Lt Col Md Tawfiq Amin (Instructor Class A, Dept. of EECE, MIST, Dhaka)
פורמט:	ספר
שפה:	אנגלית
יצא לאור:	Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2026.
נושאים:	Electrical, Electronic and Communication Engineering. This Thesis Paper of EECE in BSc Program.
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים