PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Hlavní autor:	Zaman, Faria
Korporativní autor:	Supervised by Lt Col Md Tawfiq Amin (Instructor Class A, Dept. of EECE, MIST, Dhaka)
Médium:	Kniha
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2026.
Témata:	Electrical, Electronic and Communication Engineering. This Thesis Paper of EECE in BSc Program.
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Podobné jednotky