PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS /

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Zaman, Faria
Körperschaft:	Supervised by Lt Col Md Tawfiq Amin (Instructor Class A, Dept. of EECE, MIST, Dhaka)
Format:	Buch
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2026.
Schlagworte:	Electrical, Electronic and Communication Engineering. This Thesis Paper of EECE in BSc Program.
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