ENHANCING DOUBLE-CHANNEL AlGaN/GaN HEMT PERFORMANCE: INVESTIGATING THE INFLUENCE OF GATE DIELECTRIC AND THICKNESS /
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Համատեղ հեղինակ: | |
| Այլ հեղինակներ: | , |
| Ձևաչափ: | Գիրք |
| Լեզու: | անգլերեն |
| Հրապարակվել է: |
Dhaka :
EECE DEPT. MIST,
c2024.
|
| Խորագրեր: | |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Նմանատիպ նյութեր: ENHANCING DOUBLE-CHANNEL AlGaN/GaN HEMT PERFORMANCE: INVESTIGATING THE INFLUENCE OF GATE DIELECTRIC AND THICKNESS /
- SEISMIC PERFORMANCE INVES"nGA"nON OF BASE ISOLATION SYSTEM FOR TYPICAL RESIDENTIAL BUILDING IN BANGLADESH
- The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor
- THE EARLY VOLTAGE AND CURRENT GAIN OF IN GA AS DOUBLE HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR /
- GA 01 Contemporary Architecture Museum 1 /
- Microwave MESFETs and HEMTs /
- CFD ANALYSIS AND OPTIMIZATION OF WAVY AND N-SHAPED MICROCHANNEL HEAT EXCHANGERS /