ENHANCING DOUBLE-CHANNEL AlGaN/GaN HEMT PERFORMANCE: INVESTIGATING THE INFLUENCE OF GATE DIELECTRIC AND THICKNESS /
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: | |
| Άλλοι συγγραφείς: | , |
| Μορφή: | Βιβλίο |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| Έκδοση: |
Dhaka :
EECE DEPT. MIST,
c2024.
|
| Θέματα: | |
| Ετικέτες: |
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Παρόμοια τεκμήρια: ENHANCING DOUBLE-CHANNEL AlGaN/GaN HEMT PERFORMANCE: INVESTIGATING THE INFLUENCE OF GATE DIELECTRIC AND THICKNESS /
- SEISMIC PERFORMANCE INVES"nGA"nON OF BASE ISOLATION SYSTEM FOR TYPICAL RESIDENTIAL BUILDING IN BANGLADESH
- The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor
- THE EARLY VOLTAGE AND CURRENT GAIN OF IN GA AS DOUBLE HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR /
- GA 01 Contemporary Architecture Museum 1 /
- Microwave MESFETs and HEMTs /
- CFD ANALYSIS AND OPTIMIZATION OF WAVY AND N-SHAPED MICROCHANNEL HEAT EXCHANGERS /