The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor

All thanks belongs to Almighty Allah who has created us and helped us to do all deeds on earth, also who has united many kind hearts to accomplish any great job for mankind. The author like to express their sincere gratitude to the supervisor, Yeasir Arafat, Assistant Professor of EEE Department, BU...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	SANBIR HASAN MAJUMDER, MAJOR MUHAMMAD, CHOWDHURY, JOAIRIA
Ձևաչափ:	Թեզիս
Լեզու:	անգլերեն
Հրապարակվել է:	Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, MILITARY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 2015
Խորագրեր:	VOLTAGE, CURRENT GAIN, InGaAs, HETEROJUNCTION, BIPOLAR, TRANSISTOR
Առցանց հասանելիություն:	http://hdl.handle.net/123456789/154
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!