The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor

All thanks belongs to Almighty Allah who has created us and helped us to do all deeds on earth, also who has united many kind hearts to accomplish any great job for mankind. The author like to express their sincere gratitude to the supervisor, Yeasir Arafat, Assistant Professor of EEE Department, BU...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: SANBIR HASAN MAJUMDER, MAJOR MUHAMMAD, CHOWDHURY, JOAIRIA
التنسيق: أطروحة
اللغة:الإنجليزية
منشور في: Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, MILITARY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 2015
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/123456789/154
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة: The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor