BASE TRANSIT OF A GRADED BANE ALyGa1-yAs HBT USING THE ANALYTICAL MODEL DEVELOPED FOR SIGE DEVICE WITH FOR GAUSSIAN DOPED BASE /

Պահպանված է:

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ:	Jahan, Nusrat .
Համատեղ հեղինակ:	Supervised by Yasir Arafat (Assistant profesor, Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, BUET Dhaka.)
Այլ հեղինակներ:	Priyanka Biswas, Rowshon Ara Mannan
Ձևաչափ:	Գիրք
Լեզու:	անգլերեն
Հրապարակվել է:	Dhaka : CE DEPT MIST , c 2013.
Խորագրեր:	Thesis Paper of EECE in B.Sc Prog. Electrical, Electronic and Communication Engineering.
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Նմանատիպ նյութեր