A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Mahbub, Lamiya
Tác giả của công ty: Supervised by Sunjida Sultana (Assistant Professor, Dept of EECE, MIST)
Tác giả khác: Badhon, Mehrab Ibne Masud
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Tiếng Anh
Được phát hành: Dhaka : EECE DEPT. MIST, c2024.
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự: A COMPREHENSIVE INVESTIGATION OF GaSb/GaAs0.5Sb0.5/GaAs BASED DG-HJ-SP-HD VERTICAL TUNNEL FET FOR OPTIMIZED LOW POWER APPLICATIONS: EXPLORING THE IMPACT OF DEVICE PARAMETER VARIATIONS /