VLSI fabrication principles: Silicon and gallium arsenide /

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Автор:	Ghandhi, Sorab K.
Формат:	Книга
Мова:	Англійська
Опубліковано:	New Delhi : Wiley, c1994 [reprinted 2010].
Редагування:	2nd ed.
Предмети:	Silicon.
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Схожі ресурси: VLSI fabrication principles:

Швидкий перегляд
VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /
Швидкий перегляд
Semiconductor physics and devices : Basic principles /
Швидкий перегляд
Semiconductor Physics and Devices : Basic Principles /
Швидкий перегляд
Semiconductor physics and devices /
Швидкий перегляд
Classical electrodynamics /
Швидкий перегляд
Electronic transport in mesoscopic systems /
Швидкий перегляд
Semiconductor physics and devices /
Швидкий перегляд
Introduction to electrodynamics /
Швидкий перегляд
Physics of semiconductor devices /
Швидкий перегляд
The Physics of Low Dimensional Semiconductors : An Introduction /
Швидкий перегляд
Silicon VLSI technology : fundamentals, practice, and modeling /
Швидкий перегляд
Principles of electromagnetics /
Швидкий перегляд
Simulation and Characterization of Silicon-On- Insulator (SOI) MOSFET
Швидкий перегляд
Electricity and magnetism /
Швидкий перегляд
Electricity and magnetism /
Швидкий перегляд
Electricity and magnetism /
Швидкий перегляд
Concepts of electricity and magnetism / A. K. Rafiquallah, A. K. Roy, [and] M. S. Huq.
Швидкий перегляд
Electromagnetic waves /
Швидкий перегляд
Fields and waves in communication electronics /
Швидкий перегляд
Fundamentals of magnetism and electricity /
Швидкий перегляд
Electromagnetism /
Швидкий перегляд
Classical electromagnetism /
Швидкий перегляд
Electromagnetism : Theory and applications /
Швидкий перегляд
Schaum's outline electromagnetics /