VLSI fabrication principles: Silicon and gallium arsenide /

Сохранить в:

Библиографические подробности
Главный автор:	Ghandhi, Sorab K.
Формат:	‌
Язык:	английский
Опубликовано:	New Delhi : Wiley, c1994 [reprinted 2010].
Редактирование:	2nd ed.
Предметы:	Silicon.
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы: VLSI fabrication principles:

Быстрый просмотр
VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /
Быстрый просмотр
Semiconductor physics and devices : Basic principles /
Быстрый просмотр
Semiconductor Physics and Devices : Basic Principles /
Быстрый просмотр
Semiconductor physics and devices /
Быстрый просмотр
Classical electrodynamics /
Быстрый просмотр
Electronic transport in mesoscopic systems /
Быстрый просмотр
Semiconductor physics and devices /
Быстрый просмотр
Introduction to electrodynamics /
Быстрый просмотр
Physics of semiconductor devices /
Быстрый просмотр
The Physics of Low Dimensional Semiconductors : An Introduction /
Быстрый просмотр
Silicon VLSI technology : fundamentals, practice, and modeling /
Быстрый просмотр
Principles of electromagnetics /
Быстрый просмотр
Simulation and Characterization of Silicon-On- Insulator (SOI) MOSFET
Быстрый просмотр
Electricity and magnetism /
Быстрый просмотр
Electricity and magnetism /
Быстрый просмотр
Electricity and magnetism /
Быстрый просмотр
Concepts of electricity and magnetism / A. K. Rafiquallah, A. K. Roy, [and] M. S. Huq.
Быстрый просмотр
Electromagnetic waves /
Быстрый просмотр
Fields and waves in communication electronics /
Быстрый просмотр
Fundamentals of magnetism and electricity /
Быстрый просмотр
Electromagnetism /
Быстрый просмотр
Classical electromagnetism /
Быстрый просмотр
Electromagnetism : Theory and applications /
Быстрый просмотр
Schaum's outline electromagnetics /