SANBIR HASAN MAJUMDER, M. M., & CHOWDHURY, J. (2015). The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor. Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, MILITARY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Чикаго стиль цитування (17-те видання)
SANBIR HASAN MAJUMDER, MAJOR MUHAMMAD, та JOAIRIA CHOWDHURY. The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor. Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, MILITARY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Стиль цитування MLA (9-ме видання)
SANBIR HASAN MAJUMDER, MAJOR MUHAMMAD, та JOAIRIA CHOWDHURY. The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor. Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, MILITARY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.