SANBIR HASAN MAJUMDER, M. M., & CHOWDHURY, J. (2015). The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor. Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, MILITARY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.
ক্লিপবোর্ডে সফলভাবে কপি করা হয়েছে
ক্লিপবোর্ডে কপি করা যায়নি
শিকাগো স্টাইল (17 তম সংস্করণ) উদ্ধৃতি
SANBIR HASAN MAJUMDER, MAJOR MUHAMMAD, এবং JOAIRIA CHOWDHURY. The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor. Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, MILITARY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015.
ক্লিপবোর্ডে সফলভাবে কপি করা হয়েছে
ক্লিপবোর্ডে কপি করা যায়নি
M.L.A (9 ম সংস্করণ) উদ্ধৃতি
SANBIR HASAN MAJUMDER, MAJOR MUHAMMAD, এবং JOAIRIA CHOWDHURY. The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor. Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, MILITARY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015.
ক্লিপবোর্ডে সফলভাবে কপি করা হয়েছে
ক্লিপবোর্ডে কপি করা যায়নি
সতর্কবাণী: সাইটেশন সবসময় 100% নির্ভুল হতে পারে না.