SANBIR HASAN MAJUMDER, M. M., & CHOWDHURY, J. (2015). The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor. Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, MILITARY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.
Kopírování bylo úspěšné
Kopírování se nezdařilo
Citace podle Chicago (17th ed.)
SANBIR HASAN MAJUMDER, MAJOR MUHAMMAD, a JOAIRIA CHOWDHURY. The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor. Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, MILITARY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015.
Kopírování bylo úspěšné
Kopírování se nezdařilo
Citace podle MLA (9th ed.)
SANBIR HASAN MAJUMDER, MAJOR MUHAMMAD, a JOAIRIA CHOWDHURY. The Early Voltage and Current Gain of InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor. Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, MILITARY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015.
Kopírování bylo úspěšné
Kopírování se nezdařilo
Upozornění: Tyto citace jsou generovány automaticky. Nemusí být zcela správně podle citačních pravidel..