VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | |
| Язык: | английский |
| Опубликовано: |
New York ; New New Delhi :
Wiley,
c1994.
|
| Редактирование: | 2nd ed. |
| Предметы: | |
| Метки: |
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Схожие документы: VLSI fabrication principles :
- VLSI technology /
- Silicon VLSI technology : fundamentals, practice, and modeling /
- Analysis and design of digital integrated circuits : in deep submicron technology /
- Genetic algorithms for VLSI design, layout & test automation /
- VLSI fabrication principles: Silicon and gallium arsenide /
- Basic VLSI design /