VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /

Saved in:
Bibliografiske detaljer
Hovedforfatter: Ghandhi, Sorab K., 1928-
Format: Bog
Sprog:engelsk
Udgivet: New York ; New New Delhi : Wiley, c1994.
Udgivelse:2nd ed.
Fag:
Tags: Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!

MARC

LEADER 00000nam a2200000 a 4500
001 25942
003 OSt
005 20180910020005.0
008 130910r20101994ii\a b 001 0 eng d
010 |a  93040716  
020 |a 0471580058 (alk. paper) 
020 |a 9788126517909 
040 |a DLC  |c DLC  |d DLC  |d Bd-DhMIS 
050 0 0 |a TK7874  |b .G473 1994 
082 0 0 |a 621.3815/2  |2 20 
100 1 |a Ghandhi, Sorab K.,  |d 1928- 
245 1 0 |a VLSI fabrication principles :  |b silicon and gallium arsenide /  |c Sorab K. Ghandhi. 
250 |a 2nd ed. 
260 |a New York ;  |a New New Delhi :  |b Wiley,  |c c1994. 
300 |a xxiv, 834 p. :  |b ill. ;  |c 24 cm. 
500 |a "A Wiley-Interscience publication." 
504 |a Includes bibliographical references and index. 
541 |e 25942 
650 0 |a Integrated circuits  |x Very large scale integration. 
650 0 |a Silicon. 
650 0 |a Gallium arsenide. 
740 0 |a Very large scale integration fabrication principles. 
942 |2 ddc  |c TEXT  |0 1 
952 |0 0  |1 0  |2 ddc  |4 0  |6 621_381520000000000_GHA  |7 0  |9 15102  |a MISTCL  |b MISTCL  |d 2013-09-10  |e S S Enterprise  |g 320.00  |l 0  |o 621.3815/2 GHA  |p 3010025942  |r 2013-09-10 00:00:00  |t 1  |w 2013-09-10  |y TEXT 
952 |0 0  |1 0  |2 ddc  |4 0  |6 621_381500000000000_2_GHA  |7 0  |9 48346  |a MISTCL  |b MISTCL  |d 2016-01-25  |e S.S. Enterprise  |g 500.00  |l 1  |m 1  |o 621.3815/2 GHA  |p 3010001529  |r 2018-12-03 00:00:00  |s 2018-09-09  |t 2  |w 2016-01-25  |y TEXT 
999 |c 1814  |d 1814